NTE Electronics, Inc. NTE2398

MOSFET,N-Ch,VDSS 500V,RDS(ON) 1.5 Ohms,ID 4.5A,TO-220,PD 74W,VGS +/-20V,Qg 38nC

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NTE Electronics, Inc. NTE2398 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Drain Current	4.5 A
Drain to Source On Resistance	1.5 Ohms
Drain to Source Voltage	500 V
Fall Time	16 ns (Typ.)
Forward Transconductance	2.5 S
Forward Voltage, Diode	1.6 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.61" (15.49mm)
Input Capacitance	610 pF @ 25 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62 °C⁄W
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +150 C
Package Type	TO-220
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	74 W
Product Header	N-Channel Enhancement Mode High Speed Switch MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.7 °C⁄W
Series	MOSFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	38 nC
Turn Off Delay Time	42 ns
Turn On Delay Time	8.2 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 38 nC @ 10 V
UPC Code	768249384915
Voltage, Breakdown, Drain to Source	500 V