NTE Electronics, Inc. NTE324

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NTE Electronics, Inc. NTE324 Specifications

Property	Value
Collector Current	1 A
Collector to Base Voltage	120 V
Collector to Emitter Voltage	120 V
Configuration	Common Base
Continuous Collector Current	1 A
Device Dissipation	10 W
Diameter	9.39 mm
Dimensions	9.39 Dia. x 6.6 H mm
Emitter to Base Voltage	4 V
Height	0.26" (6.6mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	175 °C⁄W
Material	Si
Maximum DC Current Gain	5 @ 1 A
Maximum Operating Temperature	+200 °C
Minimum DC Current Gain	40 @ 250 mA
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating Frequency	30 MHz
Package Type	TO-39
Polarity	NPN
Power Dissipation	10 W
Primary Type	Si
Product Header	Silicon Complementary Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	17.4 °C/W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	Maximum of +200 °C
Temperature Range, Junction, Operating	200 C
Transistor Polarity	NPN
Transistor Type	NPN
Type	Driver, Power
UPC Code	768249141419
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	120 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	2 V