NTE Electronics, Inc. NTE382
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NTE Electronics, Inc. NTE382 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 1 A |
| Collector to Base Voltage | 120 V |
| Collector to Emitter Voltage | 100 V |
| Configuration | Common Base |
| Continuous Collector Current | 1 A (Max.) |
| Device Dissipation | 0.9 W |
| Dimensions | 3.0 x 5.0 x 8.73 mm |
| Emitter to Base Voltage | 5 V |
| Height | 0.344" (8.73mm) |
| Length | 0.118" (3mm) |
| Material | Si |
| Material Type | Silicon |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum DC Current Gain | 160 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Frequency | 140 MHz |
| Package Type | R-245 |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 900 mW |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Silicon Complementary Transistor |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Temperature Range, Junction, Operating | 150°C (Max.) |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Type | NPN |
| Type | Driver |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 100 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 1 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 1.0 V (Max.) |
| Width | 0.197" (5mm) |