NTE Electronics, Inc. NTE85
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NTE Electronics, Inc. NTE85 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 500 mA |
| Collector to Base Voltage | 50 V |
| Collector to Emitter Voltage | 30 V |
| Configuration | Common Base |
| Continuous Collector Current | 500 mA |
| Device Dissipation | 0.625 W |
| Dimensions | 5.2 x 4.2 x 5.33 mm |
| Emitter to Base Voltage | 5 V |
| Height | 0.21" (5.33mm) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 200 °C⁄W |
| Length | 0.204 in |
| Material | Si |
| Material Type | Silicon |
| Maximum DC Current Gain | 300 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Frequency | 100 MHz |
| Package Type | TO-92 |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 625 mW |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Silicon NPN Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 83.3 °C/W |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Temperature Range, Junction, Operating | -55 to +150 C |
| Transistor Polarity | NPN |
| Transistor Type | NPN |
| Type | Amplifier, Driver |
| UPC Code | 768249356110 |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 30 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 0.6 V |
| Width | 0 in |