ON Semiconductor 2N3772G

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ON Semiconductor 2N3772G Specifications

Property	Value
Collector Current	20 A
Collector to Base Voltage	100 V
Collector to Emitter Voltage	60 V
Configuration	Common Base
Dimensions	39.37 x 8.51 x 26.67 mm
Emitter to Base Voltage	7 V
Height	1.05" (26.67mm)
Length	1.55 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+200 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	2
Operating Frequency	0.2 MHz
Package Type	TO-204AA
Polarity	NPN
Power Dissipation	150 W
Primary Type	Si
Product Header	High Power NPN Silicon Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.17 °C/W
Series	2N Bipolar Series
Temperature Operating Range	-65 to +200 °C
Transistor Type	NPN
Type	High Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	60 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	4 V
Width	0 in