ON Semiconductor 2N5195G

ON Semi 2N5195G PNP Bipolar Transistor, 4 A, 80 V, 3-Pin TO-225AA

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ON Semiconductor 2N5195G Specifications

Property	Value
Collector Current	4 A
Collector to Base Voltage	80 V
Collector to Emitter Voltage	80 V
Configuration	Common Base
Dimensions	7.80 x 3.00 x 11.10 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.437" (11.1mm)
Length	0.307 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating Frequency	2 MHz
Package Type	TO-225
Polarity	PNP
Power Dissipation	40 W
Primary Type	Si
Product Header	PNP Silicon Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	3.12 °C/W
Series	2N Bipolar Series
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Transistor Type	PNP
Type	Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	80 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	1.4 V
Width	0 in