ON Semiconductor 2N6040G

ON Semi 2N6040G PNP Darlington Transistor, 8 A 60 V HFE:100, 4-Pin TO-220AB

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ON Semiconductor 2N6040G Specifications

Property	Value
Base Current	120 mA
Collector Cutoff Current	20 (Base), 20:200 (Emitter) μA
Collector to Base Voltage	60 V
Collector to Emitter Voltage	60 V
Configuration	Dual
Continuous Collector Current	8 A
Dimensions	10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.62" (15.75mm)
Input Voltage	2.8 V
Length	0.404 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	3
Output Current	8 A
Output Voltage	60 VDC
Package Type	TO-220AB
Polarity	PNP
Power Dissipation	75 W
Primary Type	Si
Product Header	Complementary Bipolar Silicon Medium Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Ambient	57 °C/W
Series	2N Bipolar Series
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Transistor Type	PNP
Type	Medium Power, Switch
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	2 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	4.5 V
Width	0 in