ON Semiconductor 2N6107G

ON Semi 2N6107G PNP Bipolar Transistor, 10 A, 70 V, 4-Pin TO-220AB

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ON Semiconductor 2N6107G Specifications

Property	Value
Collector Current	7 A
Collector to Base Voltage	80 V
Collector to Emitter Voltage	70 V
Configuration	Common Base
Dimensions	10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.62" (15.75mm)
Length	0.404 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating Frequency	1 MHz
Package Type	TO-220
Polarity	PNP
Power Dissipation	40 W
Primary Type	Si
Product Header	Complementary Silicon Plastic Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	3.125 °C/W
Series	2N Bipolar Series
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Transistor Type	PNP
Type	Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	70 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	3.5 V
Width	0 in