ON Semiconductor 2N6504G

Diode,SCR,Vr 50V,If 25A,Pkg TO-220AB,Vf 1.8V,Tj +125C,Cs 250A,Rth(JC) 1.5C/W

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ON Semiconductor 2N6504G Specifications

Property	Value
Blocking Voltage	800 V
Dimensions	10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Forward Current	25 A
Forward Voltage	1.8 V
Gate Trigger Current	75 mA
Gate Trigger Voltage	1.5 V
Height	0.62" (15.75mm)
Holding Current	80 mA
Length	0.404 in
Maximum Junction Temperature	+125 °C
Maximum On State Current	16 A
Maximum On State Voltage	1.8 V
Maximum Operating Temperature	+125 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Pins	3
Off State Voltage	800 V
Operating Temperature	-40 to +125 °C
Package Type	TO-220AB
Primary Type	Reverse Blocking
Product Header	2N6504 Series Silicon Controlled Rectifier
Repetitive Off State Peak Current	2 mA
Repetitive Peak Voltage	800 V
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.5 °C/W
Series	2N Bipolar Series
Surge Current	300 A
Temperature Operating Range	-40 to +125 °C
Thyristor Type	SCR
Width	0 in