ON Semiconductor BC847BLT1G

Transistor, Bipolar,Si,NPN,General Purpose,VCEO 45VDC,IC 100mA,PD 225mW,SOT-23

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ON Semiconductor BC847BLT1G Specifications

Property	Value
Collector Current	100 mA
Collector to Base Voltage	80 V
Collector to Emitter Voltage	65 V
Configuration	Common Base
Dimensions	3.04 x 1.40 x 1.01 mm
Emitter to Base Voltage	6 V
Height	0.04" (1.01mm)
Length	0.119 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating Frequency	100 MHz
Package Type	SOT-23
Polarity	NPN
Power Dissipation	300 mW
Primary Type	Si
Product Header	NPN Silicon General Purpose Transistor
Series	BC Series
Temperature Operating Range	Maximum of +150 °C
Transistor Type	NPN
Type	General Purpose
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	45 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	0.25 V
Width	0.055 in