ON Semiconductor C106MG

Diode,SCR,Vr 600V,If 4A,Pkg TO-225AA,Vf 2.2V,I�T 1.65A�s,Tj +110degc,Cs 20A

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ON Semiconductor C106MG Specifications

Property	Value
Blocking Voltage	600 V
Current Squared Time Rating	1.65 A sq. s
Dimensions	0.295 x 0.095 x 0.425 in
Forward Current	4 A
Forward Voltage	2.2 V
Gate Trigger Current	500 μA
Gate Trigger Voltage	1 V
Height	0.425" (10.8mm)
Holding Current	6 mA
Length	0.295 in
Maximum Junction Temperature	+110 °C
Maximum On State Current	2.55 A
Maximum On State Voltage	2.2 V
Maximum Operating Temperature	+110 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Pins	3
Off State Voltage	600 V
Operating Temperature	-40 to +110 °C
Package Type	TO-225AA
Primary Type	Reverse Blocking
Product Header	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier
Repetitive Off State Peak Current	100 μA
Repetitive Peak Voltage	600 V
Resistance, Thermal, Junction to Case	3 °C/W
Series	C106 Series
Surge Current	20 A
Temperature Operating Range	-40 to +110 °C
Thyristor Type	SCR
Width	0 in