ON Semiconductor MBR130T1G

Diode,Schottky Barrier,Vr 30V,If 1A,Pkg SOD-123,Vf 0.47V,Tj +125degc,Cs 5.5A

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ON Semiconductor MBR130T1G Specifications

Property	Value
Configuration	Single
Continuous Forward Current	1 A
Dimensions	2.84 x 1.8 x 1.25 mm
Diode Type	Schottky Barrier
Forward Voltage	0.45 V
Height	0.049" (1.25mm)
Length	0.111 in
Maximum Junction Temperature	125 °C
Maximum Operating Temperature	+125 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Surface Mount
Non Repetitive On State Peak Current	5.5 A
Number of Pins	2
Operating Temperature	-65 to 125 °C
Package Type	SOD-123
Peak Current	10 μA
Primary Type	Schottky Barrier
Product Header	Surface Mount Schottky Barrier Power Rectifier
Rectifier Type	Free-Wheeling Diode ; High Frequency ; Low Voltage ; Polarit
Repetitive Peak Voltage	30 V
Reverse Current	60 μA
Series	MBR Series
Surge Current	5.5 A
Temperature Operating Range	-65 to +125 °C
Width	0 in