ON Semiconductor MBRM120LT1G

Diode,Schottky Barrier,Vr 20V,If 1A,Pkg Case 457,Vf 0.45V,Tj +125degc,Cs 50A

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ON Semiconductor MBRM120LT1G Specifications

Property	Value
Configuration	Single
Continuous Forward Current	1 A
Dimensions	2.18 x 2.05 x 1.15 mm
Diode Type	Schottky Barrier
Forward Voltage	0.67 V
Height	0.045" (1.15mm)
Length	0.085 in
Maximum Junction Temperature	125 °C
Maximum Operating Temperature	+125 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Non Repetitive On State Peak Current	50 A
Number of Pins	2
Operating Temperature	-55 to 125 °C
Package Type	POWERMITE
Peak Current	100 μA
Primary Type	Schottky Barrier
Product Header	Surface Mount Schottky Power Rectifier
Rectifier Type	Schottky
Repetitive Peak Voltage	20 V
Reverse Current	25 mA
Series	MBR Series
Surge Current	50 A
Temperature Operating Range	-55 to +125 °C
Width	0 in