ON Semiconductor MJ4502G

Transistor, Bipolar,Si,PNP,High Power,VCEO 100VDC,IC 30A,PD 200W,VCBO 100VDC

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ON Semiconductor MJ4502G Specifications

Property	Value
Alternate Mfr Part Number	7743218
Collector Current	30 A
Collector to Base Voltage	100 V
Collector to Emitter Voltage	100 V
Configuration	Common Base
Dimensions	39.37 x 8.51 x 26.67 mm
Emitter to Base Voltage	4 V
Height	1.05" (26.67mm)
Length	1.55 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+200 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	2
Operating Frequency	2 MHz
Package Type	TO-204AA
Polarity	PNP
Power Dissipation	200 W
Primary Type	Si
Product Header	High Power PNP Silicon Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.875 °C/W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-65 to +200 °C
Transistor Type	PNP
Type	High Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	100 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	0.8 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	1.3 V
Width	0 in