ON Semiconductor MJD340G

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ON Semiconductor MJD340G Specifications

Property	Value
Collector Current	0.5 A
Collector to Base Voltage	300 V
Collector to Emitter Voltage	300 V
Configuration	Common Base
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38 mm
Emitter to Base Voltage	3 V
Height	0.094" (2.38mm)
Length	0.264 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Polarity	NPN
Power Dissipation	15 W
Primary Type	Si
Product Header	NPN Silicon High Voltage Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	8.33 °C/W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Transistor Type	NPN
Type	High Voltage, Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	300 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	1 V
Width	0 in