ON Semiconductor MJH11022G

ON Semi MJH11022G NPN Darlington Transistor, 15 A 250 V HFE:100, 3-Pin TO-247

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ON Semiconductor MJH11022G Specifications

Property	Value
Base Current	0.5 A
Collector Cutoff Current	1 mA
Collector to Base Voltage	250 V
Collector to Emitter Voltage	250 V
Configuration	Common Base
Continuous Collector Current	30 A
Dimensions	15.20 x 4.90 x 20.35 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.801" (20.35mm)
Input Voltage	5 V
Length	0.599 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	3
Output Current	15 A
Output Voltage	250 VDC
Package Type	TO-218
Polarity	NPN
Power Dissipation	150 W
Primary Type	Si
Product Header	Complementary Bipolar Darlington Silicon Power Transistor
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Transistor Type	NPN
Type	Power, Switch
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	4 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	3.8 V
Width	0 in