ON Semiconductor MMBD301LT1G
Diode,Schottky Barrier,Vr 30V,Pkg SOT-23 (TO-236),Vf 0.52VDC,Tj +125C,Pd 200mWEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos ON Semiconductor com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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ON Semiconductor MMBD301LT1G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Continuous Forward Current | 200 A |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01 mm |
| Diode Type | Schottky Barrier |
| Forward Voltage | 0.6 V |
| Height | 0.04" (1.01mm) |
| Junction Capacitance | 1.5 pF |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Temperature | -55 to 125 °C |
| Package Type | TO-236AB |
| Peak Current | 0.2 μA |
| Power Dissipation | 200 mW |
| Primary Type | Schottky Barrier |
| Product Header | Silicon Hot-Carrier Schottky Barrier Diode |
| Rectifier Type | Switching |
| Repetitive Peak Voltage | 30 V |
| Series | Schottky Diode Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +125 °C |
| Width | 0.055 in |