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SEMIKRON SEMIX151GAL12E4S
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IGBT Half-Bridge Ultrafast, 1200V, SEMITRANSEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos SEMIKRON com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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SEMIKRON SEMIX151GAL12E4S Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Collector Current | 232 A |
Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
Collector to Emitter Voltage | 1200 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 232 A |
Dimensions | 83.5 x 63.5 x 17 mm |
Energy Rating | 16.6 mJ |
Gate to Emitter Voltage | 20 V |
Height | 0.669" (17mm) |
Length | 3.287 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 12 |
Package Type | SEMIX 1s |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.19 K/W |
Series | IGBT Series |
Temperature Operating Range | -40 to +175 °C |
Type | Ultrafast |
Width | 0 in |