SEMIKRON SEMIX302GB066HDS

IGBT Module, NPT, Trench, 600V, SEMIX 2

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SEMIKRON SEMIX302GB066HDS Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Collector Current	380 A
Collector to Emitter Shorted Voltage	600 V
Collector to Emitter Voltage	600 V
Configuration	Dual
Continuous Collector Current	379 A
Dimensions	116.5 x 63.5 x 17 mm
Energy Rating	11.5 mJ
Gate Capacitance	18.5 nF
Gate to Emitter Voltage	20 V
Height	0.669" (17mm)
Length	4.586 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Pins	16
Package Type	SEMIX 2s
Polarity	N-Channel
Primary Type	Si
Product Header	Trench N-Channel IGBT Module
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.16 K/W
Series	IGBT Series
Temperature Operating Range	-40 to +175 °C
Transistor Type	IGBT
Type	Trench
Width	0 in