SEMIKRON SKM200GB125D
IGBT, Power, 1200 V, 200 A @ degC, 20 V, 200 A @ 25 degC, 10 nF (Typ.)Estamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos SEMIKRON com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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SEMIKRON SKM200GB125D Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Collector Current | 200 A |
| Collector to Emitter Resistance | 12 Milliohms (Typ.) |
| Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
| Collector to Emitter Voltage | 1200 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 200 A |
| Dimensions | 106.4 x 61.4 x 30.5 mm |
| Energy Rating | 14 mJ |
| Gate Capacitance | 10 nF |
| Gate to Emitter Voltage | +/-20 V |
| Height | 1.201" (30.5mm) |
| Input Capacitance | 10 nF (Typ.) |
| Length | 4.188 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 7 |
| Package Type | D 56 |
| Polarity | N-Channel |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Ultrafast N-Channel IGBT Module |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.09 K/W |
| Series | IGBT Series |
| Temperature Operating Range | -40 to +150 °C |
| Transistor Type | IGBT |
| Turn Off Time | 420 ns |
| Turn On Time | 75 ns |
| Type | Ultrafast |
| Width | 0 in |