SEMIKRON SKM500GA128E4
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SEMIKRON SKM500GA128E4 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Collector Current | 700 A |
| Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
| Collector to Emitter Voltage | 1200 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 700 A |
| Dimensions | 106.4 x 61.4 x 36.5 mm |
| Energy Rating | 85 mJ |
| Fall Time | 80 nS (Typ.) |
| Gate Capacitance | 35 nF |
| Gate to Emitter Voltage | ±20 V |
| Height | 1.437" (36.5mm) |
| Length | 4.188" (106.4mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Screw |
| Number of Pins | 4 |
| Operating and Storage Temperature | -40 to 150°C (Operating), -40 to 125°C (Storage) |
| Package Type | D 59 |
| Polarity | N-Channel |
| Primary Type | Si |
| Product Header | SPT N-Channel IGBT Module |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.047 K/W |
| Rise Time | 80 nS (Typ.) |
| Series | IGBT Series |
| Temperature Operating Range | -40 to +150 °C |
| Transistor Type | IGBT |
| Type | SPT |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 1200 |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 1200 V |
| Width | 2.417" (61.4mm) |