Siliconix / Vishay BPV23F

Diode,Photo,SAR 870 to 1050nm,Id 2nA,Isc 60uA,Voc 390mV,Leaded,Rs 900 Ohms

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Siliconix / Vishay BPV23F Specifications

Property	Value
Active Area	4.4 sq.mm
Breakdown Voltage	60 V
Dark Current	2 nA
Fall Time	70 ns
Junction Capacitance	48 pF
Lead Diameter	0.63 mm
Maximum Operating Temperature	100 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Open Circuit Voltage	390 mV
Operating Temperature	-40 to +100 °C
Package Type	Leaded
Primary Type	Photo
Product Header	Silicon PIN Photodiode
Rise Time	70 ns
Series	BPV Series
Shunt Resistance	900 Ohms
Spectral Application Range	870 to 1050 nm
Temperature Coefficient	0.2 %/K (Typ.)