Siliconix / Vishay SI1029X-T1-E3
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Siliconix / Vishay SI1029X-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 1.7 x 1.2 x 0.5 mm |
| Drain Current | -135 to 305 mA |
| Drain to Source On Resistance | 3 to 8 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -60 to 60 V |
| Forward Transconductance | 100, 200 mS |
| Forward Voltage, Diode | -1.4, 1.4 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.02" (0.5mm) |
| Input Capacitance | 23 pF@ -25 V, 30 pF @ 25 V |
| Length | 0.066 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 6 |
| Package Type | SC-89 |
| Power Dissipation | 250 mW |
| Series | SI10 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 20, 35 ns |
| Turn On Delay Time | 15, 20 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1700 nC @ 4.5 V, 750 nC @ 4.5 V |
| Width | 0.047 in |