Siliconix / Vishay SI1032X-T1-E3/BKN

20V (D-S) N-CH MOSFET W/ESD PROTECT

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Siliconix / Vishay SI1032X-T1-E3/BKN Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	1.7 x 0.95 x 0.8 mm
Drain Current	200 mA
Drain to Source On Resistance	10 Ohms
Drain to Source Voltage	20 V
Forward Transconductance	0.5 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±6 V
Height	0.031" (0.8mm)
Length	0.066 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 TO +150 C
Package Type	SC-75A, SC-89
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	300 mW
Series	SI10 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	330 pC
Turn Off Delay Time	Maximum of 50 ns
Turn On Delay Time	Maximum of 50 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	750 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20 V
Width	0.037 in