Siliconix / Vishay SI1551DL-T1-E3

MOSFET, Dual, Complementary, 20V, 0.3/0.44A, SOT-363

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Siliconix / Vishay SI1551DL-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N ; P
Configuration	Single
Dimensions	2.2 x 1.35 x 1 mm
Drain Current	-0.41 to 0.29 A
Drain to Source On Resistance	1.8 to 4.2 Ohms
Drain to Source Voltage	-20 to 20 V
Forward Transconductance	0.3, 0.8 S
Forward Voltage, Diode	0.8/-0.8 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.039" (1mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	400 °C/W
Length	0.086 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	6
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SC-70
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	0.27 W
Series	SI15 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	0.72/0.52 nC
Turn Off Delay Time	8.5, 10 ns
Turn On Delay Time	7.5, 23 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	0.52 nC @ 4.5 V, 0.72 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20/-20 V
Width	0.053 in