Siliconix / Vishay SI1555DL-T1-E3
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Siliconix / Vishay SI1555DL-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 2.2 x 1.35 x 1 mm |
| Drain Current | -0.41 to 0.66 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.63 to 1.2 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -8 to 20 V |
| Forward Transconductance | 1.2 (P), 1.5 (N) S |
| Forward Voltage, Diode | -1.2 (P), 1.2 (N) V |
| Gate to Source Voltage | ±12 (N), ±8 (P) V |
| Height | 0.039" (1mm) |
| Length | 0.086 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 6 |
| Package Type | SOT-363 |
| Power Dissipation | 0.27 W |
| Series | SI15 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 10 (N), 10 (P) ns |
| Turn On Delay Time | 10 (N), 6 (P) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.8 nC @ 4.5 V (N-Channel), 1.5 nC @ 4.5 V (P-Channe |
| Width | 0.053 in |