Siliconix / Vishay SI1905DL-T1-E3
MOSFET; Dual P-CH 1.8V (G-S) TrenchEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay SI1905DL-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Drain Current | 0.57 A |
| Drain to Source On Resistance | 1.2 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -8 V |
| Forward Transconductance | 1.2 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 6 |
| Package Type | SOT-363 |
| Power Dissipation | 0.27 W |
| Series | SI19 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 10 ns |
| Turn On Delay Time | 6 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.5 nC @ -4.5 V |