Siliconix / Vishay SI2307BDS-T1-E3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -30V,RDS(ON) 0.063Ohm,ID -2.5A,TO-236 (SOT-23),PD 0.75WEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay SI2307BDS-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.02 mm |
| Drain Current | -2 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.13 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -30 V |
| Forward Transconductance | 5 S |
| Forward Voltage, Diode | -0.85 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.04" (1.02mm) |
| Input Capacitance | 380 pF @ -15 V |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-236 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 0.75 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SI23 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 9 nC |
| Turn Off Delay Time | 25 ns |
| Turn On Delay Time | 9 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9 nC @ -15 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -30 V |
| Width | 0.055 in |