Siliconix / Vishay SI2316BDS-T1-E3/BKN

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Estamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].

A nossa gama de produtos inclui uma grande variedade de opções Siliconix / Vishay e outros modelos. Se não encontrar o modelo que procura, pode enviar-nos um e-mail ou preencher o formulário de pedido de cotação. A nossa empresa oferece apenas produtos originais ou novos. Se tiver pedidos especiais a este respeito, não hesite em contactar-nos.

Nesta página, encontrará informações detalhadas sobre o produto Siliconix / Vishay SI2316BDS-T1-E3/BKN. A marca Siliconix / Vishay é reconhecida pelos seus componentes de alta qualidade utilizados em vários setores. O site oferece diferentes modelos de produtos Siliconix / Vishay, fornecendo opções adaptadas às suas necessidades.

Por favor, entre em contato connosco para fazer um pedido para o produto Siliconix / Vishay SI2316BDS-T1-E3/BKN ou para obter mais detalhes. Teremos todo o prazer em ajudá-lo a verificar o produto ou a explorar outros modelos.

Não hesite em contactar-nos. Estamos aqui para fornecer a peça certa da forma mais confiável. A satisfação do cliente e a qualidade do produto são as nossas principais prioridades. Estamos aqui para lhe proporcionar o melhor serviço.

Siliconix / Vishay SI2316BDS-T1-E3/BKN Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	3.04 x 1.4 x 1.02 mm
Drain Current	4.5 A
Drain to Source On Resistance	0.08 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Fall Time	35 ns
Forward Transconductance	6 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.04" (1.02mm)
Input Capacitance	350 pF @ 15 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	100 °C/W
Length	0.119 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +150 C
Package Type	TO-236
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	1.66 W
Series	SI23 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	9.6 nC
Turn Off Delay Time	17 ns
Turn On Delay Time	30 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	6.35 nC @ 15 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0.055 in