Siliconix / Vishay SI4501ADY-T1-E3

MOSFET, Dual, Complementary, Half-Bridge, 30/-8 V, 5.3/-3.3 A, SO-8

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Siliconix / Vishay SI4501ADY-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N ; P
Configuration	Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	-4.1 to 6.3 A
Drain to Source On Resistance	0.027.0.06 Ohms
Drain to Source Voltage	-8 to 30 V
Forward Transconductance	12, 18 S
Forward Voltage, Diode	0.73/-0.75 V
Gate to Source Voltage	±8, ±20 V
Height	0.061" (1.55mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	75/76 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	1.3 W
Series	SI45 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	11.5/13.5 nC
Turn Off Delay Time	35, 60 ns
Turn On Delay Time	15, 21 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	11.5 nC @ 5 V, 13.5 nC @ 5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30/-8 V
Width	0 in