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Siliconix / Vishay SI4559ADY-T1-GE3
Siliconix / Vishay SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET, N-Ch/P-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 46mohm, Id 4.5A, SO-8, Pd 3.4WEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay SI4559ADY-T1-GE3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N ; P |
Configuration | Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain |
Dimensions | 5 x 4 x 1.55 mm |
Drain Current | -2.4 to 5.3 A |
Drain to Source On Resistance | 0.072 to 0.15 Ohms |
Drain to Source Voltage | -60 to 60 V |
Forward Transconductance | 15 (N), 8.5 (P) S |
Forward Voltage, Diode | -1.2 (P), 1.2 (N) V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.061" (1.55mm) |
Input Capacitance | 650 pF @ -15 V (P), 665 pF @ 15 V (N) |
Length | 0.196 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Number of Pins | 8 |
Package Type | SO-8 |
Power Dissipation | 3.1 ; 3.4 W |
Series | SI45 Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Turn Off Delay Time | 20 (N), 40 (P) ns |
Turn On Delay Time | 15 (N), 30 (P) ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V (N-Channel), 14.5 nC @ -10 V (P-Channel |
Width | 0 in |