Siliconix / Vishay SI4923DY-T1-E3

DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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Siliconix / Vishay SI4923DY-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	-5 A
Drain to Source On Resistance	0.031 Ohms
Drain to Source Voltage	-30 V
Forward Transconductance	26 S
Forward Voltage, Diode	-1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.061" (1.55mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	62.5 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	1.1 W
Series	SI49 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	45.5 nC
Turn Off Delay Time	135 ns
Turn On Delay Time	15 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	45.5 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-30 V
Width	0 in