Siliconix / Vishay SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 5.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC

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Siliconix / Vishay SI4936BDY-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	6.9 A
Drain to Source On Resistance	0.051 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	12 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.061" (1.55mm)
Input Capacitance	530 pF @ 15 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	58 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.8 W
Series	SI49 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	9.1 nC
Turn Off Delay Time	12 ns
Turn On Delay Time	5 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	9.1 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in