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Siliconix / Vishay SI4980DY-T1-E3
Siliconix / Vishay SI4980DY-T1-E3
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Siliconix / Vishay SI4980DY-T1-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain |
Dimensions | 5 x 4 x 1.55 mm |
Drain Current | 3.7 A |
Drain to Source On Resistance | 0.095 Ohms |
Drain to Source Voltage | 80 V |
Forward Transconductance | 12 S |
Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.061" (1.55mm) |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 62.5 °C/W |
Length | 0.196 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
Package Type | SO-8 |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 2 W |
Series | SI49 Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 15 nC |
Turn Off Delay Time | 30 ns |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 80 V |
Width | 0 in |