Siliconix / Vishay SI5435BDC-T1-E3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

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Siliconix / Vishay SI5435BDC-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Hex Drain
Dimensions	3.1 x 1.7 x 1.1 mm
Drain Current	-3.1 A
Drain to Source On Resistance	0.045 Ohms
Drain to Source Voltage	-30 V
Fall Time	30 ns
Forward Transconductance	14 S
Forward Voltage, Diode	-1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.043" (1.1mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	50 °C/W
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Operating and Storage Temperature	-55 to +150 C
Package Type	1206-8 ChipFET
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	1.3 W
Series	SI54 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	24 nC
Turn Off Delay Time	50 ns
Turn On Delay Time	15 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	16 nC @ -15 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-30 V
Width	0 in