Siliconix / Vishay SI5513DC-T1-E3

MOSFET; 20V N & P CH (D-S) Complementary

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Siliconix / Vishay SI5513DC-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N, P
Configuration	Dual Gate, Dual Source, Quad Drain
Dimensions	3.1 x 1.7 x 1.1 mm
Drain Current	-0.9, 0.9 A
Drain to Source On Resistance	0.075, 0.155 Ω
Drain to Source Voltage	-20, 20 V
Forward Transconductance	5, 8 S
Forward Voltage, Diode	0.8/-0.8 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.043" (1.1mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	90 °C/W
Length	0.122" (3.1mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	1206-8 ChipFET
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	1.1 W
Series	SI55 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	4/3 nC
Turn Off Delay Time	19, 25 ns
Turn On Delay Time	12, 13 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	3 nC @ 10 V, 4 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20/-20 V
Width	0.067" (1.7mm)