Siliconix / Vishay SI5515DC-T1-E3

COMPLEMENTARY 20-V (D-S) MOSFET

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Siliconix / Vishay SI5515DC-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N ; P
Configuration	Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	3.1 x 1.7 x 1.1 mm
Drain Current	-2.2 to 3.1 A
Drain to Source On Resistance	0.04 to 0.086 Ohms
Drain to Source Voltage	-20 to 20 V
Forward Transconductance	8, 22 S
Forward Voltage, Diode	0.8/-0.8 V
Gate to Source Voltage	±8 V
Height	0.043" (1.1mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	90 °C/W
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	1206-8 ChipFET
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	1.1 W
Series	SI55 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	5/5.5 nC
Turn Off Delay Time	30, 42 ns
Turn On Delay Time	18, 20 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	5 nC @ 10 V, 5.5 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20/-20 V
Width	0 in