Siliconix / Vishay SI5903DC-T1-E3

DUAL P-CH 2.5V (G-S) RATED MOSFET

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Siliconix / Vishay SI5903DC-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	3.1 x 1.7 x 1.1 mm
Drain Current	2.1 A
Drain to Source On Resistance	0.155 Ohms
Drain to Source Voltage	-20 V
Forward Transconductance	5 S
Forward Voltage, Diode	-1.2 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.043" (1.1mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	90 °C/W
Length	0.12 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	1206-8 ChipFET
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	1.1 W
Series	SI59 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	3 nC
Turn Off Delay Time	25 ns
Turn On Delay Time	13 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	3 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-20 V
Width	0 in