Siliconix / Vishay SI6966DQ-T1-E3

MOSFET; 20V, N-CH, 30MOHM, 32M CELL Trench

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Siliconix / Vishay SI6966DQ-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain ; Dual Gate ; Quad
Dimensions	4.5 x 3.1 x 1.05 mm
Drain Current	4.5 A
Drain to Source On Resistance	0.03 Ohms
Drain to Source Voltage	20 V
Fall Time	20 ns
Forward Transconductance	20 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.041" (1.05mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	110 °C/W
Length	0.177 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Package Type	TSSOP
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	1.14 W
Series	SI69 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	1.14 nC
Turn Off Delay Time	55 ns
Turn On Delay Time	20 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	11.5 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20 V
Width	0 in