Siliconix / Vishay SI7866ADP-T1-E3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

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Siliconix / Vishay SI7866ADP-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	5.99 x 5 x 1.07 mm
Drain Current	40 A
Drain to Source On Resistance	0.003 Ohms
Drain to Source Voltage	20 V
Forward Transconductance	110 S
Forward Voltage, Diode	1.1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.042" (1.07mm)
Input Capacitance	5415 pF @ 10 V
Length	0.235 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	PowerPAK-SO-8
Power Dissipation	83 W
Series	SI78 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	49 ns
Turn On Delay Time	34 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	83 nC @ 10 V
Width	0 in