Siliconix / Vishay SI7898DP-T1-E3
SI7898DP-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor, 3 A, 150 V, 8-Pin SOICEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay SI7898DP-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
| Dimensions | 5.99 x 5 x 1.07 mm |
| Drain Current | 3 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.095 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 150 V |
| Forward Transconductance | 15 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.042" (1.07mm) |
| Length | 0.235 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | PowerPAK-SO-8 |
| Power Dissipation | 1.9 W |
| Series | SI78 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 24 ns |
| Turn On Delay Time | 9 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Width | 0 in |