Siliconix / Vishay SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET, Dual P-CH, Vds 20V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 48mohm, Id 4A, SO8, Pd 3.1WEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay SI9933CDY-T1-GE3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain |
| Dimensions | 5 x 4 x 1.55 mm |
| Drain Current | -3.8 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.094 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Forward Transconductance | 11 S |
| Forward Voltage, Diode | -1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±12 V |
| Height | 0.061" (1.55mm) |
| Input Capacitance | 665 pF @ -10 V |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | SO-8 |
| Power Dissipation | 1.14 W |
| Series | SI99 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 29 ns |
| Turn On Delay Time | 21 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ -10 V |
| Width | 0 in |