Siliconix / Vishay SUB75P03-07-E3

MOSFET,P-Ch,VDSS -30V,RDS(ON) 0.0055Ohm,ID -75A,TO-263,PD 187W,VGS+/-20V,gFS 20S

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Siliconix / Vishay SUB75P03-07-E3 Specifications

Property	Value
Drain Current	-75 A
Drain to Source On Resistance	0.0055 Ohm
Forward Transconductance	20 S
Forward Voltage, Diode	-1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-263
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	187 W
Product Header	P-Channel MOSFET
Series	SUB Series
Total Gate Charge	160 nC
Turn Off Delay Time	150 ns
Turn On Delay Time	25 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-30 V