Siliconix / Vishay SUP60N06-12P-GE3

Mosfet, Power;60V;60A;Power,100W;R(ds),0.012ohm;Halogen-Free;TO-220AB

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Siliconix / Vishay SUP60N06-12P-GE3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.51 x 4.65 x 15.49 mm
Drain Current	60 A
Drain to Source On Resistance	0.019 Ohms
Drain to Source Voltage	60 V
Forward Transconductance	37 S
Forward Voltage, Diode	1.5 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.61" (15.49mm)
Input Capacitance	1970 pF @ 30 V
Length	0.413 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Power Dissipation	100 W
Series	SUP Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	16 ns
Turn On Delay Time	11 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	33 nC @ 10 V
Width	0 in