Siliconix / Vishay SUP90P06-09L-E3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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Siliconix / Vishay SUP90P06-09L-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Single
Dimensions	10.51 x 4.65 x 15.49 mm
Drain Current	-67 A
Drain to Source On Resistance	0.019 Ohms
Drain to Source Voltage	-60 V
Fall Time	450 ns
Forward Transconductance	20 S
Forward Voltage, Diode	-1.5 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.61" (15.49mm)
Input Capacitance	9200 pF @ -25 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62 °C/W
Length	0.413 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +175 C
Package Type	TO-220AB
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	250 W
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.6 °C/W
Series	SUP Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	140 ns
Turn On Delay Time	20 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	160 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-60 V
Width	0 in