Solid State Manufacturing 2N6661

Transistor MOSFET N-Channel 90V TO-49, 2N666 Series

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Solid State Manufacturing 2N6661 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	9.39 x 9.01 x 4.58 mm
Drain Current	0.9 A
Drain to Source On Resistance	5.3 Ohms
Drain to Source Voltage	110 V
Forward Transconductance	195 mS
Forward Voltage, Diode	-1.2 V
Gate to Source Voltage	±40 V
Height	0.18" (4.57mm)
Input Capacitance	50 pF
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-205AF
Power Dissipation	6.25 W
Series	2N666 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	10 ns
Turn On Delay Time	8 ns