Vishay PCS IRF830PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 500V,RDS(ON) 1.5 Ohms,ID 4.5A,TO-220AB,PD 74W,VGS +/-20V

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Vishay PCS IRF830PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.51 x 4.65 x 15.49 mm
Drain Current	4.5 A
Drain to Source On Resistance	1.5 Ohms
Drain to Source Voltage	500 V
Forward Transconductance	2.5 S
Forward Voltage, Diode	1.6 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.61" (15.49mm)
Input Capacitance	610 pF @ 25 V
Length	0.413 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	74 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	IRF Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	38 nC
Turn Off Delay Time	42 ns
Turn On Delay Time	8.2 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 38 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	500 V
Width	0 in