Vishay PCS IRFBC40ASPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 600V,RDS(ON) 1.2 Ohms,ID 6.2A,D2Pak,PD 125W,VGS +/-30V

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Vishay PCS IRFBC40ASPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Drain Current	6.2 A
Drain to Source On Resistance	1.2 Ohms
Drain to Source Voltage	600 V
Forward Transconductance	3.4 S
Forward Voltage, Diode	1.5 V
Gate to Source Voltage	+/-30 V
Height	0.19" (4.83mm)
Input Capacitance	1036 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	125 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	IRF Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	42 nC
Turn Off Delay Time	31 ns
Turn On Delay Time	13 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 42 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	600 V
Width	0 in