Vishay PCS IRFIBC30GPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 600V,RDS(ON) 2.2 Ohms,ID 2.5A,TO-220 Full-Pak,PD 35W

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Vishay PCS IRFIBC30GPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.63 x 4.83 x 16.12 mm
Drain Current	2.5 A
Drain to Source On Resistance	2.2 Ohms
Drain to Source Voltage	600 V
Forward Transconductance	2.2 S
Forward Voltage, Diode	1.6 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.635" (16.12mm)
Input Capacitance	660 pF @ 25 V
Length	0.418 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	35 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	IRF Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	31 nC
Turn Off Delay Time	35 ns
Turn On Delay Time	11 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 31 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	600 V
Width	0 in