Infineon IRF1010NPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 11 Milliohms,ID 85A,TO-220AB,PD 180W,gFS 32S

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRF1010NPBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта Infineon IRF1010NPBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

Infineon IRF1010NPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.66 x 4.82 x 16.51 mm
Drain Current	85 A
Drain to Source On Resistance	11 mOhms
Drain to Source Voltage	55 V
Forward Transconductance	32 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.65" (16.51mm)
Input Capacitance	3210 pF @ 25 V
Length	0.419 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	180 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	120 nC
Turn Off Delay Time	39 ns
Turn On Delay Time	13 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 120 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Width	0 in